青年副研究员
研究方向
1. 多场耦合实验与理论
2. 新型功能材料与器件
3. 先进光电子物理与器件
4. 智能电子器件
5. 智能系统与应用基础
岗位要求
1. 在相关研究方向已做出优秀成果，36周岁以下的青年科技人才或行业工程师，具备独立开展研发工作的能力，并在本领域内展现出学术发展潜力。
2. 在重要学术刊物上发表过研究论文，具有扎实的理论基础和较强的外语水平。
3. 具有良好的学术道德、严谨的科学态度、良好的沟通及团队合作精神。
4. 以学术骨干身份参与光电院相关团队的科学研究和人才培养等，能够积极参与重大科研项目。
福利待遇
1. 研究院为青年副研究员提供充足的科研经费、良好的工作条件、国际学术交流机会、宽阔的个人成长空间和晋升渠道。
2. 研究院为青年副研究员提供具有竞争力的薪酬待遇、住房补贴和住房公寓保障。
3. 按必赢电子游戏网站政策提供子女就读必赢电子游戏网站附属教育体系机会。
应聘材料
1.个人简历（含学习、工作和科研经历等）
2.代表性研究成果（如代表性论文全文、奖励证书等）
3.学历证明
4.其他需要说明的情况
应聘方式
1. 申请人请以“应聘岗位-博士毕业院校-姓名”为邮件标题，将电子版材料发送至必赢电子游戏网站邮箱：ioe@fudan.edu.cn
2. 联系人：莫老师
3. 联系地址：上海市杨浦区淞沪路2005号必赢电子游戏网站(江湾校区)交叉一号楼
